国星光电：自主研发 MicroLED 巨量转移技术现处于小批验证阶段

　　IT之家 10 月 6 日消息，昨日，国星光电在投资者互动平台上表示，公司自主研发 Micro LED 巨量转移技术，现处于小批验证阶段。

　　IT之家了解到，今年 9 月，国星光电宣布推出第二代 Micro LED 新品 ——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ 为一款 3.5 英寸玻璃基 Micro LED 全彩显示屏，像素间距 300 微米(P0.3)，采用 TFT 驱动实现了 8bit(256 灰阶)色深的显示效果。

　　国星光电表示，nStar Ⅱ 玻璃基主动式驱动 Micro LED 显示屏是通过巨量转移技术将 Micro LED 微型芯片键合到玻璃基板上，利用 TFT 驱动实现高清画面显示。

　　据介绍，国星光电目前已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等 Micro LED 领域多项关键技术上取得突破，Mini / Micro LED 领域已申请发明专利 100 余件。

标签： 国星光电 自主研发 巨量转移技术

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